30 октября в Саратовском государственном техническом университете имени Гагарина Ю.А. состоялось очередное заседание Учёного совета. В рамках торжественной церемонии награждения за значительные заслуги в сфере образования, научной деятельности и добросовестный труд почетное звание «Почетный работник сферы образования РФ» было присвоено доктору технических наук, профессору кафедры ТОХП Виталию Николаевичу Целуйкину.

В.Н. Целуйкин в 1999 г. окончил с отличием Саратовский государственный технический университет. В 2002 г. защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата химических наук. В 2009 г. защитил диссертацию на соискание ученой степени доктора технических наук. Работает в Энгельсском технологическом институте с 2002 г. Выполняет все виды учебной нагрузки. Лекционные и практические занятия проводит на высоком профессиональном уровне. Его отличает грамотность и логичностью изложения материала.

Научная работа В.Н. Целуйкина связана с исследованием закономерностей процесса осаждения, структуры и функциональных свойств композиционных электрохимических покрытий. Им опубликовано более 250 научных и учебно-методических работ. Он является автором и соавтором более 60 статей в журналах, индексируемых в международных научных базах Scopus и Web of Science (в том числе в квартилях Q1 и Q2), получил 5 патентов на изобретения. Индекс Хирша по публикациям в РИНЦ – 18. Индекс Хирша в Scopus – 15. Зарегистрирован в Федеральном реестре экспертов научно-технической сферы (свидетельство № 04-03633).

Большой опыт научной деятельности помогает В.Н. Целуйкину грамотно организовать работу со студентами и аспирантами, которые неоднократно были удостоены стипендий Правительства и Президента Российской Федерации. Под его научным руководством подготовлено 5 кандидатов наук. Входит в состав диссертационных советов 24.2.391.05 и 24.2.391.02 при Саратовском государственном техническом университете имени Гагарина Ю.А. С 2019 г. по настоящее время является руководителем Основного научного направления (ОНН) Энгельсского технологического института.